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SiC MOSFET MODULE APD-V2

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专为新能源电动汽车主驱逆变器设计，是基于SiC MOSFET芯片的一体化解决方案，具有超高功率密度和高可靠性。
Specially designed for the main drive inverter of new energy electric vehicles, it is an integrated solution based on SiCMOSFET chip, it has ultra-high power density and high reliability.

拓扑 Topology 三相全桥(6-in-1）3 Phase Full-bridge, Sixpack

RDS(ON)-Typ 2/3mΩ

应用领域 Applications 电动汽车应用 Automotive applications

状态 State 量产 output

产品优势指标参数拓扑电路应用领域

2022年4月批量生产
2022.4 in Volume Production
碳化硅基功率MOSFET
SiC Power MOSFET
低杂散电感设计
Low inductive design
高功率密度
High Power Density
Pin-Fin式直接水冷散热底板
Direct Cooled Pinfin Base Plate
提高使用寿命的烧结工艺
Sintering technology for improved lifetime
PressFIT压接工艺
PressFIT Contact Technology
通过AQG324可靠性试验项目验证
AQG324 test passed
符合RoHS环境标准
RoHS Complient


电路拓扑 circuit topology	三相全桥 3Phase Full-bridge, Sixpack (6-in-1)
散热底板 Cooling base plate	Pin-Fin直接水冷 Pin-Fin Direct water cooling
V_Dss	1200V
R_DS(ON)_-typ	2 / 3 mΩ
T_vj(op)	-40℃~175℃
Chip Material	SiC