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硅 (Si) 器件
芯聚能提供完善的IGBT系列，产品均采用高速沟槽栅/场终止工艺，单管及模块IGBT电流密度高且功耗低，能够提高能效、降低散热需求，从而有效降低整体系统成本。该系列芯片包括单片IGBT，以及和FRD集成封装的产品，广泛应用于通用逆变器、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、感应加热设备、大型家电、焊接以及开关电源（SMPS）等领域。
类别 categorｙ | 产品 Product | 描述 Description | 状态 Status | BVCES Typ(V) | IC Max(A) | VCE(sat) Typ(V) | VF Typ(V) | Eoff Typ(mJ) | Eon Typ(mJ) | Trr Typ(ns) | Irr Typ(A) | Qg Typ(nC) | 封装 Package |
IGBT 模块 | 100A, 1200V 场截止沟槽型高速IGBT 半桥拓扑，全电流FRD | 量产 | 1200 | 100 | 1.89 | 2.38 | 6.87 | 6.39 | 352 | 29 | 620 | 34mm | |
100A, 1200V 场截止沟槽型中速IGBT 半桥拓扑，全电流FRD | 量产 | 1200 | 100 | 1.84 | 2.08 | 10.53 | 5.86 | 350 | 57 | 915 | 34mm | ||
IGBT 单管 | 15A, 600V 场截止沟槽型IGBT | 量产 | 600 | 15 | 1.6 | 1.4 | 0.18 | 0.29 | 150 | 15.5 | 32.9 | TO-220F | |
20A, 600V 场截止沟槽型IGBT | 量产 | 600 | 20 | 1.55 | 1.53 | 0.3 | 0.79 | 254 | 2.7 | 43 | TO-220F | ||
30A, 600V 场截止沟槽型IGBT | 量产 | 600 | 30 | 1.71 | 1.56 | 0.3 | 0.79 | 254 | － | 43 | TO-3P | ||
36A, 380V 场截止沟槽型IGBT | 量产 | 380 | 36 | 2.0 | － | － | － | － | － | － | TO-220C | ||
36A, 380V 场截止沟槽型IGBT | 量产 | 380 | 36 | 2.0 | － | － | － | － | － | － | TO-263 |
类别 categorｙ | 产品 Product | 描述 Description | 状态 Status | 配置 Configuration | VRRM Min(V) | VF Max(V) | IRM Max(μA) | IO Max(A) | IFSM Max(A) | trr Max(ns) | Cj Max(pF) | 封装 Package |
二极管 | 60A,300V 肖特基二极管 | 量产 | 双芯共阴极 | 300 | 1.1 | 5 | 60 | 300 | 45 | 600 | TO-3PN |
应用
新能源汽车
主驱逆变器(Traction Inverter)
车载充电器(OBC)
DC-DC转换器
工业
工业电源
工业电机控制
可再生能源