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工业SiC MOSFET模块

芯聚能半导体的SiC MOSFET采用先进的平面栅工艺，通过优化结构设计实现更低损耗和更高可靠性。碳化硅(SiC)芯片作为开关器件，可支持更高的开关频率和工作结温，同时实现更高的系统效率，广泛应用于工业特种电源和高速电机应用。
工业碳化硅(SiC)模块产品针对不同应用开发了系列的内部电路拓扑，如单芯片(1-in-1)，半桥(Half-Bridge)，双相桥(4-in-1)，三相桥(6-in-1)等，可提供多个电压等级(650V，1200V，1700V)的选项。工业SiC MOSFET模块封装采用了先进的银烧结(Ag-Sintering)工艺，且提供特殊式样选项，譬如高性能氮化铝(AlN)陶瓷基板材料(可大幅提升散热性能)，充分满足工业应用对高功率密度、高可靠性的需求。
工业SiC MOSFET单管

芯聚能半导体的SiC MOSFET采用先进的平面栅工艺，通过优化结构设计实现更低损耗和更高可靠性。碳化硅(SiC)芯片作为开关器件，可支持更高的开关频率和工作结温，同时实现更高的系统效率，在工业领域广泛应用于，如车载充电器(OBC)，不间断电源(UPS)，光伏逆变，储能系统和电动车快速充电等行业。
我们的工业SiC MOSFET单管产品提供650V、1200V等多个电压等级和8mΩ~160mΩ导通电阻的参数组合。同时针对碳化硅(SiC)器件的高速开关特性，设计了相应对策的封装形式，譬如在通用标准封装基础上增加开尔文源极引脚的TO-系列和SMD系列封装，在对现有设计改动最小的前提下大幅提升了器件的开关性能。


产品

Product

描述

Description

状态

Status

BVDSS (V)

ID(Max) (A)

RDS(ON)   

Typ@25℃(mΩ)

TjMax(℃)

封装

Package

ACN016S120RNA

16mΩ,1200V

SiC-MOSFET模块

单芯片1-in-1拓扑

量产

1200

90

16

150

SOT-227

ACN040S120TNA‍

48mΩ,1200V

SiC-MOSFET单管

TO-247

量产

1200

51

48

150

TO-247

ACN080S120TNA‍

80mΩ,1200V

SiC-MOSFET单管

TO-247

量产

1200

30

80

150

TO-247